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SSM6L09FU高速切换效应晶体管硅N·P沟道MOS电源管理

极速PK10app www.intagli.com 发布时间:2019/4/30 11:43:38 访问次数:2554

ssm6l09fu


东芝场效应晶体管硅n·p沟道mos型(π-mosvi)

ssm6l09fu

○电源管理开关

○高速切换

•适用于小型封装的高密度安装。

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•低电阻。 q1:rds(on)=0.7ω(最大值)(@ vgs = 10 v)

q2:rds(on)=2.7ω(最大值)(@ vgs = -10 v)

q1绝对最大额定值(ta = 25°c)

项目符号评级单位

漏源电压vdss 30 v.

栅源电压vgss±20 v.

d c id 400

漏电流

脉冲idp 800

毫安

漏源电压vdss-30 v.

栅源电压vgss±20 v.

d c id-200

漏电流

脉冲idp -400

毫安


功耗pd300 mw

通道温度tch 150°c

储存温度tstg -55至150°c

特性http://gll.51dzw.com/(ta = 25°c)

项目符号测量条件最小标准ssm6l09fu最大单位

栅极漏电流igss vgs =±16 v,vds =0⎯±1μa

漏源击穿电压v(br)dss id = 1 ma,vgs = 030⎯⎯v

漏极阻断电流idss vds = 30 v,vgs =0⎯⎯1μa

栅极阈值电压vth vds = 5 v,id = 0.1 ma 1.1 1.8 1.8 v.

正向传输导纳⎪yfs= vds = 5 v,id = 200 ma(注2)270⎯⎯ms

id = 200 ma,vgs = 10 v(注2)⎯0.50.7

漏源导通电阻rds(on)id = 200 ma,vgs = 4 v(注2)0.8 0.8 1.2

id = 200 ma,vgs = 3.3 v(注2)⎯1.01.7

ω

输入容量ciss⎯20⎯pf

反馈电容crss⎯7⎯pf

输出容量coss

vds = 5 v,vgs = 0,f = 1 mhz

⎯16⎯pf

开启时间ton⎯72⎯切换时间

关闭时间toff

vdd = 5 v,id http://xiangxing.51dzw.com/= 200 ma,

vgs = 0至4v⎯68ns ns

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