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FS150R12KT4

极速PK10app www.intagli.com 发布时间:2019/4/30 10:44:00 访问次数:2095 发布企业:深圳市明烽威电子有限公司

FS150R12KT4

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FS150R12KT4

FS150R12KT4

FS150R12KT4

FP150R12KT4P_B11
FF900R12IE4PBOSA1
FS150R12KT4_B9
制造商: Infineon
产品种类: IGBT ???br /> RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 150 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 750 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FS150R12KT4B9
制造商: Infineon
产品种类: IGBT ???br /> RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 150 A
封装 / 箱体: Econo 3
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 122 mm
宽度: 62 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FS150R12KT4

FS150R12KT4

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FP150R12KT4P_B11
FF900R12IE4PBOSA1
FS150R12KT4_B9
制造商: Infineon
产品种类: IGBT ???br /> RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 150 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 750 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FS150R12KT4B9
制造商: Infineon
产品种类: IGBT ???br /> RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 150 A
封装 / 箱体: Econo 3
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 122 mm
宽度: 62 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FS150R12KT4






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