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STD5NM50T4

极速PK10app www.intagli.com 发布时间:2019/5/2 19:02:00 访问次数:172 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





产品描述:STD5NM50T4

MDmesh™功率MOSFET,MDmesh™是一种革命性的新型MOSFET与多重排水过程相关联的技术与公司的PowerMESH™水平

布局。由此产生的产品具有出色的低价导通电阻,令人印象深刻的高dv/dt和优秀雪崩特征。通过了

公司专有的剥离技术总体上得益于此动态性能明显优于类似竞争产品的产品。


产品特性:STD5NM50T4

n典型RDS(on)=0.7Ω

nHIGHdv/dt和AVALANCHE功能

n100%AVALANCHE测试

n低输入电容和门

收费

n低闸门输入阻力

n严格的过程控制和高

制造业


应用:STD5NM50T4

MDmesh™系列非常适合增加

高压变换器的功率密度允许

系统小型化和更高的效率。

制造商 STMicroelectronics 制造商零件编号 STD5NM50T4 描述 MOSFETN-CH500V7.5ADPAK 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL) 1(无限) 详细描述 表面贴装-N-沟道-pval-2068-7.5A(Tc)-100W(Tc)-DPAK 一般信息 数据列表 STD5NM50(-1);
标准包装 2,500 包装 标准卷带 零件状态 不適用於新設計 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管-FET,MOSFET-单 系列 MDmesh™
规格 FET类型 N沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 500V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) 7.5A(Tc) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) 800毫欧@2.5A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V@250μA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值) 13nC@10V Vgs(最大值) ±30V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 415pF@25V FET功能 - 功率耗散(最大值) 100W(Tc) 工作温度 -55°C~150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 DPAK 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63


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