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IRLML2502TRPBF

极速PK10app www.intagli.com 发布时间:2019/5/2 19:17:00 访问次数:125 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





产品描述:IRLML2502TRPBF

采用Micro3封装的20V单N沟道HEXFET功率MOSFET


产品优点:IRLML2502TRPBF

•符合RoHS标准

•行业领先的质量

•快速切换

•薄型(小于1.1mm)

•SOT-23足迹


目标应用:IRLML2502TRPBF

•直流开关

•负载开关

制造商 InfineonTechnologies 制造商零件编号 IRLML2502TRPBF 描述 MOSFETN-CH20V4.2ASOT-23 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL) 1(无限) 详细描述 表面贴装-N-沟道-pval-2068-4.2A(Ta)-1.25W(Ta)-Micro3™-SOT-23

一般信息

数据列表 IRLML2502PbF;
标准包装 3,000 包装 标准卷带 零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管-FET,MOSFET-单 系列 HEXFET®


规格

FET类型 N沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 20V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) 4.2A(Ta) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 2.5V,4.5V 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) 45毫欧@4.2A,4.5V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V@250μA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值) 12nC@5V Vgs(最大值) ±12V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF@15V FET功能 - 功率耗散(最大值) 1.25W(Ta) 工作温度 -55°C~150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 Micro3™/SOT-23 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3


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